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SGH80N60UFDTU中文资料

SGH80N60UFDTU图片

SGH80N60UFDTU外观图

  • 大小:645.8KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: IGBT; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:2.6V; Power Dissipation Pd:195W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:80A; Current Temperature:25°C; Device Marking:SGH80N60UFDTU; Fall Time tf:50ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3P; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:195W; Power Dissipation Pd:195W; Power Dissipation Ptot Max:195W; Pulsed Current Icm:220A; Rise Ti...
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
  • 功率 - 最大:195W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装:TO-3PN
  • 包装:管件

SGH80N60UFDTU供应商

更新时间:2023-01-30 13:21:59
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